Mokslininkai iš Purdue ir Harvardo universitetų (JAV) sukūrė tranzistorių iš medžiagos, kuri artimiausiu metu galėtų pakeisti tradicinį silicį. Jame yra naudojami trys plonyčiai nanolaideliai iš indžio galio arsenido lydinio. Kiekvienas kitas laidelis yra mažesnis už ankstesnį, o visa tai tam panašu į Kalėdinę eglutę – ta pati siaurėjanti pleišto forma. Iš čia kilęs ir pavadinimas "4D", nors tai neturi nieko bendro su keturiais matmenimis.

Indžio galio arsenidas – viena iš nedaugelio daug žadančių puslaidininkinių medžiagų, kurios svarstomos kaip pamaina gana greitai savo resursą išnaudosiančiam siliciui. Jei tikėti, pavyzdžiui, "Intel" planais, dabar šios kompanijos mokslininkai ir inžinieriai suka galvas, ką daryti 2018 m., kai bus pradėtas įgyvendinti planas diegti 10 nm technologinį procesą – tuomet, mokslininkų teigimu, tolimesnė silicio miniatiūrizacija bus neįmanoma, o vienintele išeitimi taps perėjimas prie naujų medžiagų. Miniatiūrizacija reikalaus ir naujų izoliuojančių medžiagų (dielektrinių sluoksnių), kad mikroschemos galėtų veikti be klaidų ir sutrikimų.

Amerikiečių mokslininkų siūlomi nauji "4D" tranzistoriai padengti naujo tipo kompozitiniu izoliatoriumi iš 4 nm lantano aliuminato sluoksnio ir ultraplono 0,5 nm aliuminio oksido sluoksnio. Kol kas bandymai sėkmingai vyksta laboratorinėmis sąlygomis, tačiau kaip tai bus įgyvendinama serijinės gamybos atveju, dar neaišku. Juo labiau, kad dabartinis mokslininkų pasiūlymas kainuos tikrai milžiniškas sumas, todėl finansinis aspektas gali paguldyti tokius „4D tranzistorių“ projektus į stalčių ilgiems laikams.

Komentarai (3)