IMFT vadovas: 2D flash atminties gaminimo riba yra ties 10 nanometrų, ne mažiau  (0)

Kompanijos IM Flash Technologies, kuri yra atsakinga už flash atminties panaudojimą „Intel“ ir „Micron“ produktuose, vadovas Keyvan‘as Esfarjani prakalbo apie naudojamą flash atmintį. Šiuo metu jai gaminti naudojamas 20nm technologinis procesas, tačiau kas laukia ateityje?


20nm technologinis procesas šiuo metu kuo puikiausiai klijuojasi „Intel 335 Series” ir „Crucial M500” SSD kaupikliuose, tačiau bėgant į priekį, reikia galvoti apie tolimesnius veiksmus. Pasak K. Esfarjani, 15nm ir 10nm NAND flash atmintis galima, tačiau tai - 2D struktūros pabaiga.

Vėliau teks naudoti 3D NAND flash atmintį, kurioje daugybe sluoksnių bus dedami vienas ant kito. „Toshiba“ ilgą laiką dirba prie tokios atminties, tačiau jai pavyko sudėti tik 16 sluoksnių. Kaip teigė K. Esfarjani, norint, kad viskas atsipirktų, reikėtų bent jau 32-64 sluoksnių atminties.

3D NAND technologija gera ir tuo, jog galima naudoti didesnį technologinį procesą. Kuo jis mažesnis, tuo įrašymo ir ištrynimo laikas linkęs smarkiau degraduoti. Bet kokiu atveju, mums dar liko bent jau pora kartų su esamomis technologijomis, kurios ir toliau mažins SSD kainas. O kaip jos atrodys pasirodžius naujos kartos technologijoms, reikės palūkėti dar bent keletą metų.

Aut. teisės: www.technologijos.lt
(1)
(0)
(0)

Komentarai (0)

Susijusios žymos: