„Samsung“ pristatė pirmąją spartesnę 20 nm „NAND Flash“ atmintinę  (0)

Bendrovė „Samsung Electronics Co., Ltd.“ pristatė pirmuosius 20 nanometrų (nm) NAND lustus, skirtus naudoti „Secure Digital“ (SD) tipo atminties kortelėse ir integruotose atmintinėse. Pirmasis 32 gigabitų (Gb) NAND lustas patenkins vis didėjantį atmintinių talpos poreikį, kuris atsiranda dėl populiarėjančių išmaniųjų telefonų, aukštos klasės IT prietaisų ir sparčiųjų atminties kortelių.

„Prabėgus vos vieneriems metams nuo 30 nm klasės NAND gamybos pradžios „Samsung“ pristato naujos kartos 20 nm NAND lustus, kurie yra našesni ir apdoroja didesnį duomenų kiekį,“ – teigė „Samsung Electronics“ atminties skyriaus prezidentas Soo-In Cho. Pasak jo, naujieji 20 nm NAND – tai ne tik reikšmingas žingsnis procesų projektavimo, bet ir technologijų pažangos srityje.

„Samsung“ 20 nm MLC NAND lustų našumas yra 50 proc. didesnis nei 30 nm MLC NAND. Be to, įrašymo sparta į 20 nm lusto (aštuonių gigabaitų (GB) ir didesnio tankio) SD kortelę yra 30 proc. didesnė nei į kortelę turinčią 30 nm NAND lustą. Šios technologijos spartos reitingas yra 10 (20 MB/s nuskaitymo sparta ir 10 MB/s įrašymo sparta). Naudodama šiuolaikinius procesus, dizaino ir valdiklių technologiją, „Samsung“ užtikrina aukštą patikimumo lygį, prilygstantį 30 nm NAND.

Šiuo metu „Samsung“ SD kortelių, pagamintų naudojant 20 nm 32 Gb NAND, pavyzdžius pateikia savo klientams, o jų gamybą planuojama išplėsti dar šiemet. Planuojama, kad atminties kortelių, gaminamų naudojant 20 nm technologiją, talpa sieks nuo 4 GB iki 64 GB. 32 Gb NAND gamybą pagal 30 nm proceso technologiją „Samsung Electronics“ pradėjo dar 2009 metų kovą.

Aut. teisės: www.technologijos.lt

(0)
(0)
(0)

Komentarai (0)

Susijusios žymos: