IBM sukūrė 9 nm tranzistorių iš grafeno nanovamzdelių  (0)

Mokslininkai jau sugebėjo panaudoti cilindrines grafeno struktūras, tinkamas komercinei elektros kabelių gamybai, vėliau ši medžiaga tapo kompaktiškų tranzistorių kūrimo eksperimentų pagrindu. Savo ruožtu, IBM iš šio medžiagos pavyko sukurti tranzistorių, kurio dydis sudaro vos 9 nm, praneša Techreport.


Šiais metais Intel turėtų išleisti savo pirmuosius 22 nm tranzistorius, kurie taps procesorių Ivy Bridge pagrindu. Kaip teigiama, silicis elektronikos pramonėje bus naudojamas tiek ilgai, kiek tai leis šios medžiagos potencialas. Intel jau suplanavusi silicį naudoti iki pat 14 nm, tačiau jau dabar ieškoma pamainos šiam ne vieną dešimtmetį ištikimai tarnavusiam elementui.

Tad IBM kuriami grafeno tranzistoriai ateityje gali tapti geru pakaitalu siliciui tiek mikroprocesoriuose, tiek ir integralinėse schemose.

Pranešama, jog 9 nm IBM tranzistoriai pasiūlys kur kas mažesnį energijos suvartojimą, nei tokio paties dydžio silicio analogai, taip pat bus daug laidesni elektrai, nei iš kitų medžiagų sukurti tranzistoriai (taip pat ir silicio).

Deja, tačiau technologija, kuri naudojama grafeno tranzistoriams gaminti, dar nėra tinkama masinei gamybai. Mokslininkai kol kas nesukūrė būdų, kaip efektyviai patalpinti vienoje vietoje milijonus ir milijardus tranzistorių, reikalingų dabartinėms mikroschemoms. Nanovamzdelių kūrimas be metalų priemaišų taip pat yra gana sudėtinga užduotis. Tad jau dabar norintiems pamatyti naujus tranzistorius, teks nusivilti: aprašytos naujovės serijiniuose produktuose šį dešimtmetį pamatyti greičiausiai nepavyks.

Aut. teisės: Faceit.lt
(0)
(0)
(0)

Komentarai (0)

Susijusios žymos: