„Samsung“ ir „Hynix“ pristatė DDR4 operatyviosios atminties prototipus (0)
Praėjusią savaitę vykusioje konferencijoje ISSCC 2012 kompanijos „Samsung“ ir „Hynix“ buvo vieninteliai operatyviosios atminties modulių gamintojai, kurie pristatė mikroschemas, atitinkančias DDR4 standartą.
Prisijunk prie technologijos.lt komandos!
Laisvas grafikas, uždarbis, daug įdomių veiklų. Patirtis nebūtina, reikia tik entuziazmo.
Sudomino? Užpildyk šią anketą!
Kompanijos „Micron“, „Elpida“ ir „Nanya“ – kiti pagrindiniai šios rinkos žaidėjai – susilaikė nuo DDR4 standartą atitinkančių mikroschemų bandomosios gamybos.
Tikimasi, jog taip vadinama „juodraštinė“ DDR4 redakcija bus paruošta jau šių metų viduryje, o galutinai patvirtinta šių metų pabaigoje. Pirmieji komerciniai DDR4 moduliai pasirodys 2013 m. ir pirmiausia bus skirti serverių rinkai (modulių talpa sieks 32 GB). Asmeninių kompiuterių rinkoje dideliais kiekiais DDR4 pasirodys tik 2014 m.
Naujoji DDR4 atmintis turėtų būti energetiškai efektyvesnė ir spartesnė už dabartinį DDR3 standartą. Pirma, įtampa bus sumažinta iki 1,2 V, o vėliau gal būt dar labiau. Antra, įvedama grupinių „bankų“ su nepriklausomomis signalų linijomis architektūra, o tai leis kiekvienai „bankų“ grupei dirbti nepriklausomai, įskaitant regeneracijos režimą. Faktiškai tai reiškia, jog bus naudojamos tos celės, kurios būtinos dabartinei informacijai saugoti, o tuščios bus tiesiog atjungiamos.
Kiekviena linija duomenų perdavimo greitis sieks 1,6 GT/s (giga transfers per second), vėliau dar paspartės iki 3,2 GT/s. priminsime, jog DDR3 standarto duomenų pralaidumas nustatytas ties 1,6 GT/s lygiu, tačiau praktikoje gamintojai sugebėjo viršyti šį rodiklį, taigi DDR4 šiuo atveju taip pat progresuos.
Dar vienu patobulinimu taps su grafine atmintimi susijusi technologija „Pseudo Open Drain“ (POD), kuri sumažins energijos suvartojimą, dirbant skaitymo ir rašymo režimu. Taip pat padidės klaidų kontrolė, o tai netgi be ECC bloko žymiai padidins duomenų skaitymo ir rašymo operacijų patikimumą. Pasikeis vadinamųjų terminacijų (angl. termination) sistema, taip pat atsiras duomenų maskavimas ir kitos naujovės.
ISSCC 2012 kompanija „Samsung“ parodė bandomąjį 30 nm technologinio proceso pagrindu pagamintą DDR4 modulį, o „Hynix“ – 38 nm egzempliorių. Savo ruožtu, abi kompanijos masinę DDR4 gamybą žada pradėti, naudodamos jau 20 nm technologiją. Akivaizdu, jog apie suderinamumą su DDR3 moduliais reikės pamiršti, taigi reikės naujos platformos – kompiuterių pagrindinių plokščių.