Mūro (Moore) dėsnis teigia, jog procesorius sudarančių tranzistorių kiekis (ir tuo pačiu jo pajėgumas) padvigubės kas du metus. Tačiau jei mikroschemų gamintojai nori išlaikyti tokį tempą, jiems neišvengiamai teks įžengti į trimačių (3D) procesorių sritį. Trimačiai procesoriai nuo šiuo metu paplitusių dvimačių skirtųsi tuo, kad tranzistoriai būtų išdėstomi daugiau nei vienoje plokštumoje. Planus sukurti tokius procesorius jau paskelbė mokslininkas Fujio Masuoka, kuris pasauliui yra žinomas kaip žmogus, sukūręs pirmąsias Flash tipo atminties mikroschemas. Jis šiuos planus įgyvendinti žada bendradarbiaudamas su Singapūro Mikroelektronikos Institutu.

Ką praktiškai siūlo 3D procesoriai? Tai ne tik galimybė į mažesnę erdvės dalį sutalpinti didesnį tranzistorių kiekį – tokiu būdų taip pat pasiekiamas didžiulis spartos padidėjimas, nes tranzistorius galima išdėstyti arčiau vienas kito. Dvimatėje (2D) mikroschemoje norint signalą perduoti iš vieno kraštinio tranzistoriaus į kitą kraštinį tranzistorių, reikalingas didesnis laiko tarpas; šiuo požiūriu 3D modelis leidžia sudaryti daug efektyvesnius ryšius tarp mikroschemą sudarančių elementų. Analogiškas sprendimas gali būti pritaikomas kuriant daug didesnės spartos operatyviosios atminties (RAM) modulius.

Pavienių silicio sluoksnių apjungimo vienas su kitu siekiant suformuoti trimačius elektroninius grandynus koncepcija nėra nauja, o Fujio Masuoka, tikėtina, jau yra puikus šios srities specialistas – apie tai galima spręsti pagal sparčiai didėjančias Flash atmintinių talpas. Tačiau šios idėjos kol kas niekam nepavyko veiksmingai perkelti į procesorių gamybą. Didieji šios rinkos žaidėjai, tokie kaip Intel ir IBM yra pademonstravę keletą sprendimų, parodančių, jog šiose kompanijose taip pat vis intensyviau užsiimama tokiais tyrimais.

Komentarai (5)