„SanDisk“ sukūrė 8 sluoksnių „flash“ atminties mikroschemą (3)
Bendrovė „SanDisk“ pranešė sukūrusi erdvinę 8 sluoksnių „flash“ atminties mikroschemą, kurios teorinė talpos riba siekia 256 GB. Tačiau kol kas informaciją į tokį prototipinį grandyną galima įrašyti tik vieną kartą, praneša „TechRadar.com“.
Prisijunk prie technologijos.lt komandos!
Laisvas grafikas, uždarbis, daug įdomių veiklų. Patirtis nebūtina, reikia tik entuziazmo.
Sudomino? Užpildyk šią anketą!
Pasak bendrovės vadovo Elio Harario, įprastos „flash“ atminties mikroschemos maksimalias savo talpos galimybes pasieks jau po 5 metų. Jų talpa esą padidės 2-3 kartus lyginant su dabartinėmis mikroschemomis ir pasieks maždaug 32 GB ribą.
Tad, anot jo, reikia plėtoti erdvinių (3D) „flash“ kaupiklių mikroschemų technologiją, suteiksiančią didesnes talpos galimybes. „Kai Manhetene pritrūko žemės, ėmė kilti dangoraižiai“, - sakė E. Hararis.
„SanDisk“ 3D „flash“ mikroschemų kūrimą pradėjo 2005 m. įsigijusi bendrovę „Matrix“, kuri jau buvo pagaminusi tokių mikroschemų prototipus. 2008 m. viduryje „SanDisk“ ir „Toshiba“ pasirašė sutartį dėl bendradarbiavimo kuriant erdvinę „flash“ atmintį.
