Japonijos ir Jungtinių Valstijų mokslininkų bendradarbiavimas gali baigti 20 metų trukusį DRAM tipo operatyvios atminties dominavimą. Daugiau nei dvidešimt puslaidininkių kompanijų apjungė savo intelektualinius ir gamybinius pajėgumus, kad būtų sukurta naujo tipo atmintis – MRAM. Tarp jos kūrėjų galima sutikti tokias kompanijas, kaip Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics, Hitachi ir Micron Technology.

Japonijos šiaurinėje dalyje esančio Tohoku miesto universitete planuojama atlikti kelias dešimtis mokslinių tyrimų; projekto pradžia numatyta 2014 metų vasario mėnesį. MRAM atmintis remiasi ne elektriniu krūviu, kaip tai vyksta dabar, o duomenų saugojimo magnetiniais elementais.

MRAM energijos suvartojimas bus 3 kartus mažesnis nei DRAM, tačiau tuo pačiu metu bus pasiūlytas 10 kartų didesnis duomenų įrašymo į atmintį greitis. Jei visa tai taps realybe, laukti teks dar ne vienerius metus – komercinė MRAM atminties realizacija turėtų prasidėti 2018 metais.

Iki to laiko mums teks darbuotis su DDR4 operatyviąja atmintimi. Aišku, dar teks palaukti ir jos: nors keletas kompanijų – Micron, Samsung, SK Hynix – jau pradėjo masinę tokios atminties gamybą, tačiau iš pradžių ji bus pradėta naudoti serveriuose, tuo tarpu vartotojams skirtus kompiuterius pasieks ne anksčiau, nei 2015 metais.

Kitąmet DDR4 palaikymas turėtų atsirasti Intel Haswell-E procesoriams skirtose motininėse plokštėse, tuo tarpu AMD ketina naujovę naudoti savo serverių sistemose, veikiančiose su procesoriais Opteron. 2015 m. naujo tipo operatyvios atminties palaikymą gaus Skylake procesoriai, panašiu metu analogiškų sprendimų turėtų pasiūlyti ir AMD.

Komentarai (0)