Granados universiteto (Ispanija) mokslininkai kartu su specialistais iš Grenoblio CEA-LETI laboratorijos (Prancūzija) specialistais paskelbė apie pažangios operatyviosios atminties gamybos technologiją, kuri, kūrėjų teigimu, gali būti drąsiai vadinama revoliucine.

Pasiūlyta gamybos metodika ir technologija vadinama „Advanced Random Access Memory“ (liet. pažangi atsitiktinės kreipties atmintis), arba A-RAM. Manoma, kad po kurio laiko tokio tipo atmintis pakeis šiuo metu rinkoje plačiai paplitusią dinaminę atsitiktinės kreipties atmintį DRAM.

DRAM atminties celių konstrukcija numato vieną kondensatorių ir vieną tranzistorių (tam tikrai atvejais gali būti naudojami du kondensatoriai). Vis tik mikroschemų miniatiūrizacija, kuri šiais laikais numato 20 nm ir pažangesnės technologijos naudojimą, verčia mokslininkus galvoti vis išradingesnius būdus, kaip spręsti kondensatorių mažinimo problemą.

A-RAM atminties celėse kondensatorių apskritai nėra, o tai leidžia išspręsti daug pažangesnių technologinių procesų naudojimo problemą. Be to, A-RAM pasižymi itin aukštu energetiniu efektyvumu, didesniais duomenų perdavimo greičiais, o kartu leidžia kalbėti apie tolimesnį galutinių produktų informacinės talpos didinimą.

Teorinis A-RAM modelis buvo pasiūlytas 2009 m. Dabar mokslininkams pavyko įrodyti, jog visa tai galima įgyvendinti praktikoje. Svarbu ir tai, jog šia technologija jau susidomėjo didieji kompiuterinės atminties gamintojai, tokie kaip „Samsung“, „Hynix“ ir „Micron“.

Komentarai (6)