„Qualcomm“ pristatė naujausią platformą - „Snapdragon 675“: pirmasis lustas su 11 nanometrų technologija ir žadamas naujas nuotraukų kokybės lygis

Tai, kad Intelio 10nm dar nėr, įdomu ar dar 2019m. bus

<5 nm yra gan sudėtinga jau, nemažai fizikų mano, kad čia gali būti tokių lustų riba, poto prasideda ypač dažnas kvantinis tuneliavimas, t.y. kai bitas peršoka potencialo duobę, nors pagal savo energijos būvį to padaryt neturėtų.

Na, aš turėjau omenyje masinėje gamyboje, nes AMD 2019 pardavinės 7nm CPU lustus, o su Inteliui su savo 10nm vis problemų kyla.

https://semiengineering.com/wp-content/ ... /nano3.png Ir reikia skirti, ar padarytas vienas tranzistorius, ar ten 12 tranzistoriu ir juos pavadinti procesoriumi ar realu procesoriu kur ten minimum milijonai ar milijardai tranzistoriu. O ir taip pat kaina, procesorius neturi kainuoti kaip USA naikintuvas F-35. https://www.semiwiki.com/forum/content/ ... esses.html https://newatlas.com/ibm-5-nm-transistors-chip/49872/ https://semiengineering.com/big-trouble-at-3nm/

Although Intel has not yet revealed any specific plans to manufacturers or retailers, their 2009 roadmap projected an end-user release by approximately 2020.[10][11] In early 2017, Samsung announced production of a 4 nm node by 2020 as part of its revised roadmap.[12] On January 26th 2018, TSMC announced production of a 5 nm node by 2020 on its new fab 18.[13] In October 2018, TSMC disclosed plans to start risk production of 5 nm devices in April next year.[14] Possible technologies that have been speculated to be useful or essential to producing chips beyond Moore's Law scaling have included: vortex laser,[21] MOSFET-BJT dual-mode transistor,[22] 3D packaging,[23] microfluidic cooling,[24] PCMOS,[25] vacuum transistors,[26] t-rays,[27] extreme ultraviolet lithography,[28] carbon nanotube transistors,[29] silicon photonics,[30] graphene,[31] phosphorene,[32] organic semiconductors,[33] gallium arsenide,[34] indium gallium arsenide,[35] nano-patterning,[36] and reconfigurable chaos-based microchips.[37]

The field-effect transistor utilized MoS2 as the channel material, while a carbon nanotube was used to invert the channel. The effective channel length is approximately 1 nm. However, the drain to source pitch was much bigger, with micrometre size.

nu jūs ir varot, apie lab. sąlygas kur nei eff. nei info sklaida nesvarbi. tiek aš, tiek zet kalba apie serijinius, kuriais apsimoka perdavinėt info, o ne apie teoriškai mažiausią vienetą. mes ir neteigėm, kad neįmanoma, tiesiog daug info prapuola ir dėl to energijos kaštai išauga, todėl jų dar nėra (SERIJUNIŲ)

Tai kad QSD 10 nm o ne 11.

SD675 11nm