Samsung žada kainų revoliuciją SSD rinkoje  (0)

Renginyje Samsung Analyst Day korėjiečių kompanijos atstovai papasakojo labai daug įdomių dalykų, tuo tarpu puslapio Сomputerbase.de stengėsi nieko nepraleisti ir viską papasakoti. Naujausia informacija susijusi su vertikalios Flash atminties perspektyvomis.


Prisijunk prie technologijos.lt komandos!

Laisvas grafikas, uždarbis, daug įdomių veiklų. Patirtis nebūtina, reikia tik entuziazmo.

Sudomino? Užpildyk šią anketą!

Priminsime, kad šių metų vasarą Samsung visus nustebino pranešimu, kad pradėjo gaminti trimatę 3D V-NAND MLC atmintį ir kaupiklius jų pagrindu. Tai bus SSD 3D V-NAND serija, kurioje iš pradžių bus du 480 GB ir 960 GB talpos produktai. Konkurentai – Micron, Toshiba ir SK Hynix – ypatingu originalumu kol kas nepasižymi. Po garsaus Samsung anonso jie taip pat pareiškė, jog žino, kaip gaminti 3D NAND mikroschemas, tačiau leido suprasti, kad ir su įprastinėmis 2D NAND jiems sekasi visai gerai. Samsung atvejis kiek kitoks. Korėjiečių kompanija, įsisavindama kuo progresyvesnį technologinį procesą, nuolat atsilikdavo. Tačiau, matyt, nusprendė, kad nuolat tobulinti technologinį procesą, kaip tai daro Toshiba, nėra labai naudinga. Samsung suskaičiavo, kad nuolatinis 2D NAND gamybos technologinių pajėgumų tobulinimas priverstų išlaidas padidinti maždaug 45%, tuo tarpu vertikalios struktūros išlaidas padidintų tik apie 15%. Reikia pažymėti, kad kalbama ne apie kristalų pakavimą stulpeliu, naudojant TSVs tipo vertikalius kanalus, o iš tikrųjų tūrinę atminties struktūrą. Pirmasis etapas numato, kad Samsung kurs 24 sluoksnių 3D V-NAND MLC, o vėliau sluoksnių skaičius bus didinamas iki 32 ir daugiau. Samsung teigia, kad nauja technologija per artimiausius 3 metus leis SSD atpigti iki 50%. Atsižvelgiant į tai, kad šiuo metu aktyviai pradėta naudoti 3 bitų Flash atmintis, taigi galima tikėtis iš tikrųjų rimtų pokyčių SSD segmente. Būtina pažymėti, kad lyginant su „dvimate“ NAND TLC atmintimi, 3D V-NAND MLC pasižymi kur kas geresnėmis charakteristikomis – ilgaamžiškumo rodiklis yra maždaug 10 kartų didesnis, įrašymo sparta didesnė dvigubai, o energijos suvartojimas mažesnis 40%.

FACEIT.LT – IT Naujienos

Pasidalinkite su draugais
Aut. teisės: Faceit.lt
(13)
(0)
(0)

Komentarai (0)

Susijusios žymos: