„Buffalo“ demonstruoja SSD su revoliucine MRAM atmintimi (0)
Viena iš perspektyvių energetiškai nepriklausomų atminčių laikoma MRAM – magnetinė rezistyvinė atmintis, kurioje galimas duomenų įrašymas į kiekvieną celę – tai savotiškas miniatiūrinis standusis diskas. Rinkoje jau atsiranda pirmieji šią technologiją naudojantys duomenų kaupikliai.
Prisijunk prie technologijos.lt komandos!
Laisvas grafikas, uždarbis, daug įdomių veiklų. Patirtis nebūtina, reikia tik entuziazmo.
Sudomino? Užpildyk šią anketą!
MRAM neturi tokios juntamos ilgaamžiškumo ribos, kaip NAND Flash, ir yra žymiai spartesnė už ją. Tačiau iki to momento, kai MRAM pakeis NAND Flash atitinkamuose duomenų kaupikliuose, ji iš pradžių iš SSD išstums „operatyviąją“ atmintį SRAM ir DRAM.
Paprastos atminties SSD diskuose pakeitimas į energetiškai nepriklausomą, kurie atliks duomenų spartinimo funkciją, žada suteikti daugiau garantijų, jog dingus elektros maitinimui, duomenys nedings. Ir šis laikas ateina greičiau, nei galima tikėtis.
Jau šią žiemą rinkoje atsirado pirmieji RAID valdikliai su duomenų spartinimui skirta MRAM atmintimi. Kompanijos DELL ir LSI pirmosios savo produkcijoje panaudojo MRAM, kuri įdiegta duomenų saugojimo sistemose ir RAID kontroleriuose ir skirta transakcijų istorijos įrašams. Naujas atminties tipas jau sutinkamas serveriuose „Dell PowerEdge“ ir duomenų saugojimo sistemose „PowerVault“ (DAS) bei „EqualLogic“ (SAN). Savo ruožtu, LSI naudoja MRAM savo plataus spektro RAID kontroleriuose. Tuo tarpu šiomis dienomis prie šių dviejų kompanijų prisijungė trečia – japonų kompanija Melco (gerai pažįstamo prekės ženklo „Buffalo“ savininkė), kuri parodė SSD su duomenų spartinimui skirta MRAM.
Kol kas pademonstruotas variantas turi 4 GB NAND Flash ir 8 MB MRAM tarpinę atmintį (gamintojas – „Everspin Technologies“) bei yra skirtas integruojamoms sistemoms. Nors talpa kukli, tačiau duomenų kaupiklis gali atlaikyti tikrai platų temperatūrų pokytį, iki pat +85 °C. Savo ruožtu, MRAM garantuoja aukščiausią duomenų išsaugojimo lygį.
Tiesa, maža serijinių MRAM atminties mikroschemų talpa yra viena didžiausių kliūčių, kodėl ji dar nėra masiškai naudojama elektronikoje, kurioje kol kas talpos yra svarbiau ir už spartinančios atminties patikimumą.