Mokslininkai iš Rice universiteto (JAV) sukūrė naują atminties tipą, kuris ateityje gali tapti alternatyva NAND Flash atminčiai mobiliuose elektroniniuose įrenginiuose.

Pademonstruotas pavyzdys, sukurtas chemiko James Tour vadovaujamos mokslininkų komandos, yra permatomas bei lankstus. Jis atlaiko didesnes nei 500 °C laipsnių temperatūras, todėl gali funkcionuoti net ekstremaliomis sąlygomis.

Pastarasis atminties tipas sukurtas, pasinaudojant dar 2010 metais padarytu išradimu. Tuomet J. Tour komandai pavyko sukurti panašų atminties elementą silicio oksido pagrindu. Tai buvo elementas su trisluoksne struktūra, kurios centre – dielektrikas (silicio oksidas), o šonuose – puslaidininkinė plokštelė iš polikristalinio silicio, kuris dirba kaip elektrodas. Tekant elektros srovei, silicio oksido sluoksnyje susiformuoja laidi, maždaug 5 nm storio silicio nanokristalų grandinė, kuri atlieka jungiklio, arba atminties celės, vaidmenį.

Mokslininkai mano, jog parodytas atminties lusto pavyzdys dar per žingsnį priartina mus prie lanksčios elektronikos eros: ateityje tikrai pamatysime lanksčius mobilius telefonus ir nešiojamus kompiuterius, kurie galės transformuotis pagal vartotojo pageidavimus. Tuo labiau, kad ši ateitis yra realesnė nei atrodo: „Apple“ jau patentuoja stiklinius išmaniųjų telefonų korpusus, „Samsung“ dar prieš porą metų pademonstravo permatomus monitorius, o „Nokia“ patentuoja telefoną lanksčiu korpusu.

Be lankstumo ir skaidrumo, naujoji atmintis turi dar vieną privalumą: iš jos elementų galima sukurti trimatį masyvą. Dėl viso to padidėja saugomos informacijos tankis ir sumažėja galutinio įrenginio matmenys. Mokslininkai jau veda derybas su keletu gamintojų dėl naujos kartos atminties mikroschemų serijinės gamybos.

Komentarai (0)